特許

J-GLOBAL ID：200903080801231135

プラズマの評価方法ならびに装置

発明者： 板橋 直志 ,  横川 賢悦 ,  田地 新一 ,  山本 清二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-075857
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266199
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【解決手段】プラズマを用いた材料加工時において、基板入射パラメータならびに基板上パラメータを分析する各々の分析素子の設置と、該パラメータの分析により構成され、該分析素子のうち、少なくとも2種類を、被加工材料基板上あるいはこれと同様の形状を有する分析用基板上に設置することを特徴とする。【効果】プラズマを用いた材料加工時における被加工材料基板設置条件と同等な条件下で、各々の基板入射パラメータならびに各々の基板上パラメータの分析と、これらのパラメータ間の相関関係の解析を、被加工材料基板の視点に立って行うことが可能となり、材料加工に用いるプラズマを正確に評価することができる。

請求項（抜粋）：

プラズマを用いた材料加工装置内に、被加工材料基板に入射する電子、イオン、中性粒子、光を分析するための各々の基板入射パラメータ分析素子、ならびに、被加工材料基板上の温度、電位、電流を分析するための各々の基板上パラメータ分析素子を設置する設置工程と、該分析素子により該パラメータの各々を分析する分析工程からなり、特に、該分析素子のうち少なくとも2種類を、該被加工材料基板上あるいはこれと同様の形状を有する分析用基板上に設置することを特徴とするプラズマ評価方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  G01N 21/27 ,  G01N 27/62 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/00

FI (6件)：

H01L 21/302 E ,  C23F 4/00 A ,  G01N 21/27 Z ,  G01N 27/62 Z ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/00 A