特許
J-GLOBAL ID：200903080803014336
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-243530
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097245
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】本発明の目的は、半導体装置の加速度寿命試験の信頼性を向上することが可能な技術を提供することにある。【構成】 半導体装置に、半導体素子の接合部を加熱する加熱素子と、加熱された半導体素子の接合部温度を検出する温度検出素子と、該加熱素子及び温度検出素子と接続して加熱温度を制御する外部端子とを形成する。【効果】 半導体装置の加速度寿命試験に際してチップ内の加熱温度を容易に制御することができ、加速度寿命試験の信頼性を向上させるという効果がある。
請求項（抜粋）：
半導体チップ温度を検出する温度検出手段と該検出手段からの検出信号を外部へ出力するための外部端子とを備えてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01K 7/00 391
, G01K 13/00
