特許

J-GLOBAL ID：200903080804198651

基板配線形成方法、基板配線形成装置、及びめっき抑制物質転写スタンプ

発明者： 小寺 章 ,  檜山 浩国
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (3件)： 熊谷 隆 ,  高木 裕 ,  貝塚 亮平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-096511
公開番号（公開出願番号）：特開2006-274369
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】 断線等の不具合の発生を抑制し、CMP工程に要する時間を適正な範囲に抑え、めっき工程終了時点及びCMP工程で十分な平坦化ができ、余剰な金属を余すことなく除去でき、シード層、バリア層、絶縁層等の間に剥離を生じることなく、且つディシングやエロージョンを生じることもないような金属めっき膜を電解めっきにより基板に形成して基板配線を形成する基板配線形成方法、装置,及びめっき抑制物質転写スタンプを提供すること。【解決手段】 基板10に形成された配線溝やコンタクトホール等の凹部11を電解めっきにより銅13で埋め込み配線を形成する基板配線形成方法において、基板の凹部11内表面を除く該基板10の最表面にめっきを抑制するめっき抑制物質(インク4)を付着させる工程、電解めっきを行う工程、めっき抑制物質(インク4)を離脱させる工程、さらに電解めっきを行う工程を備えた。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

基板に形成された配線溝等の凹部を電解めっきにより金属で埋め込み配線を形成する基板配線形成方法において、 前記基板の凹部内表面を除く該基板の表面にめっきを抑制するめっき抑制物質を付着させるめっき抑制物質付着工程と、その後に電解めっきを行う電解めっき工程とを備えたことを特徴とする基板配線形成方法。

IPC (6件)：

C25D 5/02 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288 ,  H05K 3/10 ,  H05K 3/24 ,  H01L 21/320

FI (6件)：

C25D5/02 B ,  C25D7/12 ,  H01L21/288 E ,  H05K3/10 E ,  H05K3/24 A ,  H01L21/88 B

Fターム (32件)：

4K024AA09 ,  4K024AA10 ,  4K024AB08 ,  4K024BB11 ,  4K024BB12 ,  4K024BC01 ,  4K024CA08 ,  4K024FA07 ,  4K024FA08 ,  4K024FA23 ,  4M104BB04 ,  4M104DD21 ,  4M104DD52 ,  4M104DD75 ,  4M104FF16 ,  4M104FF22 ,  4M104HH12 ,  5E343BB02 ,  5E343BB24 ,  5E343DD43 ,  5E343GG11 ,  5E343GG13 ,  5F033HH11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ48 ,  5F033XX01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6,176,992号