特許

J-GLOBAL ID：200903080804388876

半導体装置およびその製造方法

発明者： 小塩 賢治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-317228
公開番号（公開出願番号）：特開2001-133213
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】指とセンシングパッド電極間で静電気の放電があってもスイッチング素子などが破壊されない構造の指紋センサを提供する。【解決手段】半導体基板(または基板に支持された半導体層)2に形成されたスイッチング素子Trと、その一方の不純物領域6bに接続され、検出対象物(指)との間の静電容量値に応じた量の電荷が誘起、またはスイッチング素子Trを介して供給されるセンシングパッド電極SPとを有する。センシングパッド電極SPに接続され、センシングパッド電極SPに印加または蓄積された過剰な電荷を逃がす保護手段、たとえば保護ダイオードDiが、半導体基板2に形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板または基板に支持された半導体層に形成されたスイッチング素子と、当該スイッチング素子の一方の不純物領域に接続され、検出対象物との間の静電容量値に応じた量の電荷が誘起、または上記スイッチング素子を介して供給されるセンシングパッド電極とを有する半導体装置であって、上記センシングパッド電極に接続され、センシングパッド電極に印加または蓄積された過剰な電荷を逃がす保護手段が、上記半導体基板または半導体層に形成されている半導体装置。

IPC (6件)：

G01B 7/34 102 ,  A61B 5/117 ,  G01B 7/28 ,  G06T 1/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (5件)：

G01B 7/34 102 A ,  G01B 7/28 H ,  A61B 5/10 322 ,  G06F 15/64 G ,  H01L 27/04 H

Fターム (32件)：

2F063AA43 ,  2F063AA50 ,  2F063BA29 ,  2F063BB01 ,  2F063BB02 ,  2F063BD05 ,  2F063BD06 ,  2F063CA19 ,  2F063CA28 ,  2F063DA02 ,  2F063DB05 ,  2F063DD07 ,  2F063HA04 ,  2F063HA09 ,  2F063HA10 ,  2F063HA11 ,  2F063HA16 ,  2F063HA20 ,  2F063LA09 ,  4C038FF01 ,  4C038FG00 ,  5B047AA25 ,  5B047BC01 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AZ07 ,  5F038BE10 ,  5F038BH05 ,  5F038BH13 ,  5F038CA10 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ20