特許
J-GLOBAL ID：200903080807068899
スイツチング電源装置の突入電流抑制回路
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-194609
公開番号（公開出願番号）：特開平5-038139
出願日： 1991年08月05日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】従来のスイッチング電源装置の突流抑制回路は電源投入時には有効であったが、電源瞬断の復帰時には無効であった点を改善する。【構成】1次側平滑コンデンサC1と直列に電流制限用FETQ12と電流検出抵抗R12とを設け、常時は分圧抵抗R11,R12の分圧値をFETQ12のゲートに与えてQ12をオンに保つ。但し装置起動時又は入力電源VINの瞬断復帰時、突流により電流検出抵抗R14の電圧が定電流制御用トランジスタQ13のスレッシュホルド電圧を越えるとトランジスタQ13がオンしFETQ12のゲート電圧を下げてQ12をオフ側に制御し突流を抑える。
請求項（抜粋）：
入力直流電源間に設けられてこの電源の電圧(以下入力電圧という)を平滑化する平滑コンデンサを備え、前記平滑コンデンサの両端電圧を繰返し断続して前記入力直流電源と異なる直流電源を作り出すスイッチング電源装置において、前記平滑コンデンサと直列に挿入される第1の半導体制御素子の主回路および該主回路を流れる電流を検出する抵抗と、前記入力電圧を分圧して前記第1の半導体制御素子の制御電極間に与えこの半導体制御素子をオンさせる分圧手段と、前記電流検出抵抗の両端電圧が所定電圧を上回るとき前記第1の半導体制御素子への前記分圧電圧を減じ前記第1の半導体制御素子をオフ側に制御する素子制御手段とを備えたことを特徴とするスイッチング電源装置の突入電流抑制回路。
IPC (5件)：
H02M 3/28
, H02H 9/02
, H02J 1/00 309
, H02M 1/16
, H02M 7/48
