特許
J-GLOBAL ID：200903080807569430
半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-094465
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291220
出願日： 1992年04月14日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法において、その酸化膜形成前の洗浄処理にあたって被酸化膜形成面の表面荒れ等を生じることなくほぼ完全に不純物を除去できるようにして、特性のばらつきの少ない半導体装置を得る製造方法を提供する。【構成】 半導体層10上に酸化膜5を被着形成するに当たって、少なくともこの半導体層10の表面に対し、水素に晒す工程と酸素に晒す工程とを組み合わせた処理を施した後、半導体層10上に酸化膜5を被着形成する。
請求項（抜粋）：
半導体層上に酸化膜を被着形成するに当たって、少なくとも上記半導体層の表面に対し、水素に晒す工程と酸素に晒す工程とを組み合わせた処理を施した後、上記半導体層上に酸化膜を被着形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/302
, H01L 21/316
