特許
J-GLOBAL ID:200903080811125040

画像形成装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 丸島 儀一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-147802
公開番号(公開出願番号):特開平10-069098
出願日: 1997年06月05日
公開日(公表日): 1998年03月10日
要約:
【要約】【課題】 接触帯電部材による像担持体に対する帯電を均一に行なうとともに画像流れを防止する。【解決手段】 |VD-VL|×aの電界下での像担持体の表面層の体積抵抗率RDL(Ωcm)は、1.0×1011Ωcmより大きく、VD×aの電界下での像担持体の表面層の体積抵抗率RD(Ωcm)の2倍以上であり、RDは2.0×1013Ωcmより小さくなるようにする。ただしVD(V)は暗部電位、VL(V)は明部電位、a(dot/μm)は、静電像の解像度である。
請求項(抜粋):
電界の強さに応じて体積抵抗率が変化する表面層を備える像担持体と、前記像担持体に暗部電位VD(V)と明部電位VL(V)とを備える静電像を形成する像形成手段であって、前記像担持体を帯電するために前記像担持体に接触可能な、電圧が印加可能な、帯電部材を備える像形成手段と、を有し、前記静電像の解像度はa(dot/μm)である画像形成装置において、|VD-VL|×aの電界下での前記表面層の体積抵抗率RDL(Ωcm)は、1.0×1011Ωcmより大きく、VD×aの電界下での前記表面層の体積抵抗率RD(Ωcm)の2倍以上であり、RDは2.0×1013Ωcmより小さいことを特徴とする画像形成装置。
IPC (3件):
G03G 5/04 ,  G03G 5/147 503 ,  G03G 15/02 101
FI (3件):
G03G 5/04 ,  G03G 5/147 503 ,  G03G 15/02 101
引用特許:
審査官引用 (5件)
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