特許

J-GLOBAL ID：200903080811583536

レーザダイオード

発明者： 林 茂生 ,  大川 和宏 ,  三露 常男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-031695
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244499
出願日： 1993年02月22日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 GaAs基板上に、光閉じ込め層として{(ZnS)<SB>n </SB>-(ZnSe)<SB>m </SB>}短周期超格子(n、m:自然数、n<5、0.1≦n/(n+m)≦0.3)と、光導波路層としてZnS<SB>X </SB>Se<SB>1ーX </SB>(X;0.06〜0.09)とを備えることにより、結晶性の劣化を抑えた高効率のレーザダイオードを提供する。【構成】 n型GaAs単結晶基板1上に、塩素添加n型(ZnS)<SB>2 </SB>(ZnSe)<SB>8 </SB>短周期超格子層2、塩素添加n型ZnS<SB>0.07</SB>Se<SB>0.93</SB>層3、Zn<SB>0.9 </SB>Cd<SB>0.1 </SB>Se層4、窒素添加p型ZnS<SB>0.07</SB>Se<SB>0.93</SB>層5、窒素添加p型(ZnS)<SB>2 </SB>(ZnSe)<SB>8 </SB>短周期超格子層6を有する。短周期超格子層6上にAu電極7を、GaAs単結晶基板1上にIn電極8を有し、へき開面ミラーによる光共振器を持つ。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、光閉じ込め層として{(ZnS)<SB>n </SB>-(ZnSe)<SB>m </SB>}短周期超格子(ただしnおよびmは自然数でかつn<5、0.1≦n/(n+m)≦0.3)と、光導波路層としてZnS<SB>X </SB>Se<SB>1ーX </SB>(ただしXは0.06以上0.09以下の範囲を示す)とを備えたレーザダイオード。