特許

J-GLOBAL ID：200903080814135771

TFTおよびその製法

発明者： 橋口 隆史
出願人/特許権者： 株式会社アドバンスト・ディスプレイ
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-072829
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274504
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 バックチャネル部の不純物を除去して、TFT特性のオフ電流を低減させたTFTをうる。【解決手段】 本発明のTFTは、絶縁性基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファスシリコン膜、ソースおよびドレイン電極の順に設けられたチャネルエッチ型アモルファスシリコンTFTにおいて、ソース電極とドレイン電極間のバックチャネル部のi層アモルファスシリコンに、H2またはHeが存在する雰囲気ガスでプラズマ放電を行い表面処理をして、バックチャネル部の表面に付着している不純物が除去されてなるものである。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファスシリコン膜、ソースおよびドレイン電極の順に設けられたチャネルエッチ型アモルファスシリコンTFTにおいて、ソース電極とドレイン電極間のバックチャネル部のi層アモルファスシリコンに、H2またはHeが存在する雰囲気ガスでプラズマ放電を行い表面処理をして、バックチャネル部の表面に付着している不純物が除去されてなることを特徴とするTFT。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 612 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 J ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 627 Z