強誘電体薄膜素子の製造方法ならびに強誘電体薄膜素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上柳雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-097540
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299578
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】水素に対しバリア性を示す薄膜を強誘電体薄膜キャパシタの上電極上に成膜するとき、結晶性の制御により強誘電体薄膜材料の還元による素子特性の劣化を防止する強誘電体薄膜素子の製造方法および強誘電体薄膜素子を提供する。【解決手段】強誘電体チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)薄膜108キャパシタ上に、予め別の単結晶基板上に結晶性を制御しながら成膜した金属イリジウム薄膜109を転写形成し、この最表面のみ酸化処理して結晶性の良好なイリジウム酸化膜110を形成し、これを水素に対するバリア膜とする。

請求項（抜粋）：

1)CMOS回路基板上に設けられた下電極上に強誘電体薄膜を成膜する工程、2)前記強誘電体薄膜上に金属多層膜を成膜する工程、3)前記1)工程と2)工程によって得られた積層構造を所望形状にパターニングすることによって強誘電体薄膜キャパシタを形成する工程、4)前記強誘電体薄膜キャパシタ上に水素にたいしてバリア効果を示す薄膜を形成する工程、5)前記CMOS回路基板上の素子と前記強誘電体薄膜キャパシタとを電気的に接続する工程よりなる強誘電体薄膜の製造方法において、前記4)工程が前記金属多層膜表面の酸化処理であることを特徴とする強誘電体薄膜素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/105 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/28 301 Z , H01L 27/10 444 B , H01L 21/88 R

Fターム (42件)：

4M104BB04 , 4M104BB36 , 4M104DD78 , 4M104DD80 , 4M104DD86 , 4M104FF13 , 4M104GG16 , 5F033HH07 , 5F033HH33 , 5F033HH35 , 5F033JJ04 , 5F033KK01 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033PP15 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033QQ82 , 5F033VV10 , 5F033VV16 , 5F033XX28 , 5F083AD21 , 5F083AD48 , 5F083FR02 , 5F083GA21 , 5F083GA25 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR12 , 5F083PR18 , 5F083PR23 , 5F083PR25 , 5F083PR33 , 5F083PR40

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