特許
J-GLOBAL ID:200903080816778548

スパッタリングターゲット

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 上田 章三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-091460
公開番号(公開出願番号):特開平8-260135
出願日: 1995年03月24日
公開日(公表日): 1996年10月08日
要約:
【要約】【目的】 高い導電性を有しかつ可視領域の全域において均一で高い光透過率と光反射率を有する銀系薄膜成膜用のスパッタリングターゲットを提供する。【構成】 このスパッタリングターゲットは、0.3atom%の銅と約99.7atom%の銀とで構成される。そして、このターゲットを用いて成膜された接着性薄膜11と銀系薄膜12及び保護膜13から成る多層薄膜1は、その銀系薄膜12が銅を含有しているため可視領域の短波長側の光透過率が増大している。従って、この多層薄膜1は、可視領域の全域に亘ってその光透過率が均一化されている。
請求項(抜粋):
0.1atom%(原子%)以上の銅を少なくとも含有する銀により構成されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (3件):
C23C 14/34 ,  C23C 14/14 ,  G02F 1/1343
FI (3件):
C23C 14/34 A ,  C23C 14/14 D ,  G02F 1/1343
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 透明導電性フィルム
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-252985   出願人:三井東圧化学株式会社
  • 特開昭57-174240

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