シリコン単結晶中の酸素濃度の調整方法及びその装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：須田正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-288519
公開番号（公開出願番号）：特開平9-132496
出願日： 1995年11月07日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】チャンバ内の圧力を低くせずかつチャンバ内への不活性ガスの流入量を増大させずに、シリコン単結晶中の酸素濃度を低く均一にすることができる。【解決手段】石英るつぼ13のシリコン融液12から引上げられるシリコン単結晶27の外周面を整流筒33が包囲し、この整流筒を上下動させて整流筒下端及びシリコン融液表面の間隔を間隔調整手段34が調整する。各基端が整流筒の下端に揺動可能に取付けられかつシリコン融液表面を覆う複数の整流板37a,37eの各先端をシリコン単結晶の外周面に向って突設し、複数の整流板のシリコン融液表面に対する角度を角度調整手段39が調整する。シリコン単結晶の引上げ長さを検出する長さ検出手段の検出出力に基づいてコントローラが上記間隔調整手段及び角度調整手段を制御する。

請求項（抜粋）：

石英るつぼ(13)に貯留されたシリコン融液(12)から引上げられるシリコン単結晶(27)の外周面を包囲する整流筒(33)の下端と前記シリコン融液(12)の表面との間隔を前記シリコン単結晶(27)の引上げ長さに相応して制御することにより前記整流筒(33)に流下される不活性ガス(38)の前記間隔を通過する流速を制御するシリコン単結晶中の酸素濃度の調整方法において、前記シリコン単結晶(27)引上げ時における前記るつぼ(13)内のシリコン融液(12)表面を覆う整流板(37a〜37h)を前記整流筒(33)の下端に揺動可能に配置し、引上げ時のシリコン単結晶(27)の外周面から前記シリコン融液(12)表面を経て前記るつぼ(13)内壁面に沿って前記不活性ガス(38)が流れるガス流路を形成し、前記シリコン単結晶(27)の引上げ長さに相応して前記整流板(37a〜37h)の前記シリコン融液(12)表面に対する角度を調整することにより前記整流板(37a〜37h)と前記シリコン融液(12)表面との間を通過する前記不活性ガス(38)の流速が前記整流板(37a〜37h)の先端から基端に至るまで実質的に等速となるように制御することを特徴とするシリコン単結晶中の酸素濃度の調整方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 , C30B 29/06 , C30B 15/20

FI (3件)：

C30B 29/06 502 H , C30B 29/06 502 K , C30B 15/20

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