特許
J-GLOBAL ID：200903080819329159
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-027707
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244360
出願日： 1993年02月17日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【構成】 複数個の半導体素子2、3を回路基板1に積層してなる半導体装置であって、積層される半導体素子3は、その周縁部が中央部に対して薄肉に形成された段差6を有し、この周縁部にはワイヤ4が接続される電極パッド7が形成されており、このように構成された半導体素子を積層すると共に、前記電極パッド7に接続されたワイヤを前記回路基板1に接続したことを特徴とする半導体装置。【効果】 チップのパッシベーション膜をチップ間の絶縁膜に利用することにより厚さの薄い3次元積層実装体を実現できる。
請求項（抜粋）：
複数個の半導体素子を回路基板に積層してなる半導体装置であって、積層される半導体素子は、その周縁部が中央部に対して薄肉に形成されると共に前記周縁部にはリード、またはワイヤが接続される電極パッドが形成されており、このように構成された半導体素子を積層すると共に、前記電極パッドに接続されたワイヤもしくはリードを前記回路基板に接続したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
