特許
J-GLOBAL ID：200903080819479231
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-069414
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260433
出願日： 1993年03月04日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：
【要約】【目的】半導体製造装置の構成ユニット数を減らし、コストの低減、信頼性の向上を図る。【構成】大気搬送機と、気密室を具備する基板加熱装置と、気密室を具備する所要数の成膜装置とを有し、基板加熱装置と成膜装置とを真空搬送機を介して連設した半導体製造装置に於いて、前記大気搬送機2を前記基板加熱装置60に連設し、該基板加熱装置に真空排気系56を接続すると共に不活性ガス供給系55を接続し、又該基板加熱装置に基板授受機構28と基板予備加熱機構32を設け、大気搬送機により基板を基板加熱装置に搬入し、基板加熱装置で気密室を真空排気すると共に基板を予備加熱し、真空排気と予備加熱が完了した時点で真空搬送機7により基板を基板加熱室から成膜装置6へ搬送し、成膜室で所要の成膜を行う。
請求項（抜粋）：
大気搬送機と、気密室を具備する基板加熱装置と、気密室を具備する所要数の成膜装置とを有し、基板加熱装置と成膜装置とを真空搬送機を介して連設した半導体製造装置に於いて、前記大気搬送機を前記基板加熱装置に連設し、該基板加熱装置に真空排気系を接続すると共に不活性ガス供給系を接続し、又該基板加熱装置に基板授受機構と基板予備加熱機構を設けたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/302
