特許

J-GLOBAL ID：200903080822248151

マイクロリソグラフィー用フォトレジスト組成物中の溶解阻害剤

発明者： シャハブ, ヤロミ ,  ダークス,フランシウス. ヨハネス, マリエ ,  リャプノフ, アンドレー, ヤロスラヴォヴィッチ
出願人/特許権者： ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ.
代理人 (3件)： 山田 行一 ,  野田 雅一 ,  清水 義憲
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-521024
公開番号（公開出願番号）：特表2007-501418
出願日： 2004年07月21日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

本発明は、(a)ポリマーバインダーと、(b)光活性化合物と、(c)溶解阻害剤と、を含む、10〜165nmで使用するのに好適なフォトレジスト組成物に関する。ここで、溶解阻害剤は、少なくとも(i)2個の芳香族基と(ii)フッ素と(iii)非ブロック化されたときにpKa<12を有するブロック化酸基とを含む。好ましい溶解阻害剤は、架橋炭素原子がフッ素化脂肪族基で置換されている、場合によりブロック化されたビスフェノール誘導体である。

請求項（抜粋）：

(a)ポリマーバインダーと、 (b)光活性化合物と、 (c)溶解阻害剤であって、少なくとも、 (i)2個の芳香族基と、 (ii)フッ素と、 (iii)非ブロック化されたときにpKa<12を有するブロック化酸基とを含む溶解阻害剤と、 を含む、10〜165nmで使用するのに好適なフォトレジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027 ,  C07C 69/96

FI (5件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/30 502R ,  C07C69/96 Z

Fターム (18件)：

2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096BA20 ,  2H096EA05 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  4H006AA01 ,  4H006AB80 ,  4H006BJ50 ,  4H006BM10 ,  4H006BM71

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-182417   出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-050829   出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-265052   出願人：信越化学工業株式会社, 松下電子工業株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-031743   出願人：信越化学工業株式会社