高温度超電導膜および強誘電性膜を含む同調可能マイクロ波装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：湯浅恭三 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-513506
公開番号（公開出願番号）：特表平8-509103
出願日： 1993年12月01日
公開日（公表日）： 1996年09月24日
要約：

【要約】当該開示は、周波数同調可能な損失の低い受動型マイクロ波およびミリ波装置を製造するため組合わせて使用される強誘電性および超伝導性薄膜に関する。種々の金属酸化物の超伝導性および強誘電性薄膜を、強誘電性膜に跨がって電圧バイアス信号の印加によりマイクロ波およびミリ波信号を操作することができる装置を製造する種々の被着技術によって、多数の多層形状で被着することが可能である。遅延線、移相器、共振器、発振器、フィルタ、電気的に小型のアンテナ、ハーフ・ループ・アンテナ、指向性結合器、パッチ・アンテナ、および種々の放射格子を含む多くの超伝導性マイクロ波およびミリ波装置を、電圧バイアスを掛けた強誘電性薄膜から作られる電圧同調可能なコンデンサ構造を用いて周波数同調可能にされる。強誘電性の薄膜格子に対して2つ以上の電圧バイアス信号を印加することによりビーム・パターンの電気的指向操作を可能にする組合わされた超伝導性および強誘電性の薄膜構造および形態を組込んだ同調可能なアンテナ・アレイもまた開示される。金属酸化物の超伝導体および強誘電体の薄膜を種々の組合わせで用いることにより達成されるこの組合わされた低損失および周波数同調可能性は、従来技術を越える著しい進歩をもたらす。広範囲の金属酸化物超伝導体および広範囲の強誘電体の共用性は、超伝導性膜上の強誘電性膜および強誘電性膜上の超伝導性膜を含む多数の薄膜多層形態の製造を可能にする。このような形態の柔軟性および膜のデポジションはまた、更にコンパクトな装置構造を可能にすると共に、集積されるモノリシック・デバイスをも可能にする。このようなデバイスの集積化は、独特なアンテナその他の装置に対して、更なるコスト効率がよくかつより高い性能を呈する形態を可能にする。

請求項（抜粋）：

1.強誘電体の薄膜であって、前記強誘電体薄膜の誘電性が強誘電体薄膜に印加される電圧の関数であり、該強誘電体薄膜が強誘電体薄膜の薄膜の誘電性に応答して同調されるべき回路に接続されるものである該強誘電体の薄膜と、前記強誘電体同調の表面と隣接する超伝導体の薄膜とを含み、該超伝導体薄膜が前記強誘電体薄膜の誘電性を決定するため強誘電体薄膜に電圧を印加する同調可能電気的構成要素。3.前記強誘電体薄膜とこれを担持するため前記超伝導体薄膜との一方と隣接する基板を更に含む請求の範囲第1項記載の同調可能電気的構成要素。7.前記超伝導体薄膜が被着される前記強誘電体薄膜の表面と反対面に被着された強誘電体薄膜の表面上に被着された超伝導体の別の薄膜を更に含む請求の範囲第1項記載の同調可能電気的アンテナ構成要素。

IPC (8件)：

H01P 1/18 , H01L 39/02 ZAA , H01P 1/203 , H01P 3/08 , H01P 9/00 , H01Q 3/30 , H01Q 7/00 , H01Q 13/08

FI (9件)：

H01P 1/18 , H01L 39/02 ZAA D , H01P 1/203 , H01P 3/08 , H01P 9/00 A , H01P 9/00 Z , H01Q 3/30 , H01Q 7/00 , H01Q 13/08

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