特許

J-GLOBAL ID：200903080839068670

炭化ケイ素単結晶の製造方法

発明者： 谷口 斉一 ,  坂本 博信 ,  前田 泰宏
出願人/特許権者： 日新製鋼株式会社
代理人 (1件)： 小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-037120
公開番号（公開出願番号）：特開平7-242498
出願日： 1994年03月08日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】 昇華法を利用した段階成長により、均一ポリタイプで大口径の炭化ケイ素単結晶を製造する。【構成】 成長結晶を次回結晶成長の種結晶として昇華法で炭化ケイ素単結晶を段階成長させる際、n回目の段階成長時における種結晶を温度を式(1)で算出される温度で結晶成長させる。式中、T<SB>n</SB> は段階成長n回目のときの種結晶温度(°C)を、T<SB>n-1</SB> は段階成長(n-1)回目のときの種結晶温度(°C)を、D<SB>n</SB>は段階成長n回目のときの種結晶径(mm)を、D<SB>n-1</SB> は段階成長(n-1)回目のときの種結晶径(mm)をそれぞれ示す。 -3<(T<SB>n</SB> -T<SB>n-1</SB> )/(D<SB>n</SB> -D<SB>n-1</SB> )<-1.3 ・・・・(1)【効果】 6H-SiCや4H-SiCの混在や種結晶の昇華がなく、安定した条件下で高品質大口径の炭化ケイ素単結晶が得られる。

請求項（抜粋）：

成長結晶を次回結晶成長の種結晶として昇華法で炭化ケイ素単結晶を段階成長させる際、n回目の段階成長時における種結晶温度を式(1)で算出される温度で結晶成長させることを特徴とする均一ポリタイプで大口径の炭化ケイ素単結晶の製造方法。 -3<(T<SB>n</SB> -T<SB>n-1</SB> )/(D<SB>n</SB> -D<SB>n-1</SB> )<-1.3 ・・・・(1)ただし、T<SB>n</SB> :段階成長n回目のときの種結晶温度(°C)T<SB>n-1</SB> :段階成長(n-1)回目のときの種結晶温度(°C)D<SB>n</SB> :段階成長n回目のときの種結晶径(mm)D<SB>n-1</SB> :段階成長(n-1)回目のときの種結晶径(mm)

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/203