特許
J-GLOBAL ID:200903080843240860

基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 上村 輝之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-014073
公開番号(公開出願番号):特開平11-214486
出願日: 1998年01月27日
公開日(公表日): 1999年08月06日
要約:
【要約】【課題】 半導体ウェハと加熱・冷却ステージ間のギャップ長を一定かつ均一に確実に維持し、もって基板温度の均一化に寄与する。【解決手段】 ステージ11上面の複数箇所に、一定高さの複数の突起27が配置される。ステージ11上面のウェハ13周縁部に当たる箇所に、突起27より若干高い弾性材製のOリング29が配置される。ウェハ13がステージ11のOリング上に置かれると、バキュームポンプ23がウェハ13とステージ11間の空間を軽い真空状態にする。ウェハ13は真空の負圧により、Oリング29を押し潰して突起27に吸着する。この状態で、ウェハ13に対する加熱・冷却を伴う各種処理を行う。
請求項(抜粋):
基板が載置される上面をもったステージと、前記ステージの上面に配置された複数の突起と、前記基板を前記複数の突起に押し付ける押し付け機構とを備えた基板処理装置。

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