特許
J-GLOBAL ID:200903080845548810

集積回路チップのエッジを正確に画定する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 合田 潔 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-177850
公開番号(公開出願番号):特開平9-106968
出願日: 1996年07月08日
公開日(公表日): 1997年04月22日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、ウエハ・レベルの製造時にICチップのエッジを正確に画定する方法を与える。【解決手段】 正確に画定されたエッジと寸法を有する集積回路(「IC」)チップを形成する。ウエハ加工レベルで、カーフ領域内にトレンチをリソグラフィによってエッチングして、ウエハ上にICチップのエッジを画定する。トレンチに絶縁材料を充填し、ウエハ上のICチップについて、上側レベルの配線および金属被覆を完成する。他のトレンチが充填されている以前に形成したトレンチまで画定する。ウエハをその底部から充填したトレンチの上まで薄化し、その中の絶縁材料を除去して、ウエハから個々のICチップを分離する。ICチップ・エッジの画定が正確であり、多数のスタック・レベル生後プロセスが不要となるので、ICチップをスタック内により簡単に形成することが容易になる。
請求項(抜粋):
ICチップの少なくとも1つのエッジを画定するのに使用する方法であって、前記ICチップが、第1の主平坦面と第2の主平坦面とを有するウエハの一部をなし、前記ウエハの前記第2の主平坦面の一部が前記ICチップの主平坦面に平行である方法において、(a)前記ウエハ内に、前記ウエハの前記第1の主平坦面を横切る、底部を有する第1のトレンチをリソグラフィによって生成するステップと、(b)前記第1のトレンチがICチップの少なくとも1つのエッジを画定するように、前記ICチップの前記主平坦面を前記第1のトレンチの前記底部に向かってかつ前記ウエハの前記第1の主平坦面に向かって研磨してICチップを薄化するステップとを含む方法。
IPC (2件):
H01L 21/301 ,  H01L 21/304 321
FI (4件):
H01L 21/78 A ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/78 S ,  H01L 21/78 Q
引用特許:
審査官引用 (4件)
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