特許
J-GLOBAL ID：200903080848293333
半導体不揮発性記憶装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-210874
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055596
出願日： 1991年08月22日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】6V程度の低電圧で情報を書込んでも正確に読取りができ、長期間信頼性を維持できるメモリ窓幅の大きく電荷保持性能が優れたトラップ型不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】p型Si基板3内にn+ドレイン26とn+ソース28の形成によりチャンネル領域30が形成される。その上面にSiO2薄膜5、次に多層積層絶縁膜22、さらにその上面にポリSi膜24が形成される。多層積層絶縁膜22はSiN膜層18、SiO2膜層20の順に交互に各3層積層した構造である。ポリSi膜24とチャンネル領域30間に電界を印加時、チャンネル領域内の電子がSiO2膜5及びSiO2膜層20a,bをトンネリングし、各SiN膜層18a,b,cに捕獲され情報が記憶される。情報消去時は書込時と反対方向の電界を印加し捕獲電子をチャンネル領域に戻してやる。情報読出しの場合はドレインとソース間に電圧を印加時チャネル領域の電流の存否で判断する。
請求項（抜粋）：
第一導電型の半導体基板と、前記半導体内に形成された第二導電型の少なくとも一対の拡散領域と、前記半導体基板上に形成された第一絶縁膜と、第一絶縁膜上に形成された第二絶縁膜と、第二絶縁膜上に形成された制御電極と、を備える半導体不揮発性記憶装置において、前記第二絶縁膜は、酸化物層及び窒化物層を備えた絶縁膜層を複数積層した構造をとることを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
