特許
J-GLOBAL ID：200903080851742432
プラズマCVD法およびプラズマCVD装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-144105
公開番号（公開出願番号）：特開平7-006953
出願日： 1993年06月16日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：
【要約】【目的】プラズマCVD装置の高周波電極の背面側で装置壁面との間に起こる放電を防止し、放電の不均一やパウダリングをなくする。【構成】平行平板電極と側壁によって成膜室を構成し、この成膜室と可とう性基板の送り出しロール、巻き取りロールを一つの真空室内に収容する。そうすれば、高周波電極の背面を1×10-3Torr以下の真空あるいは直接大気に接触させることができ、放電はおきない。
請求項（抜粋）：
互いに平行に対向する二つの平板電極の一方に高周波電圧を印加し、他方を接地して両電極間の反応室間内にプラズマを発生させ、反応ガスを分解して基板上に薄膜を堆積させるプラズマCVD法において、反応空間を平行平板電極と側壁とによって囲み、高周波電極の反反応空間側を1×10-3Torr以下の真空に接触させることを特徴とするプラズマCVD法。
引用特許：
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