特許

J-GLOBAL ID：200903080852259743

鏡面ウエーハの製造方法

発明者： 加藤 忠弘 ,  大嶋 久
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社 ,  直江津電子工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-332989
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142434
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 外周ダレの少ない高平坦度な両面鏡面ウエーハを簡単な方法で精度良く製造する。【解決手段】 半導体ウエーハの両主面を研磨することにより鏡面ウエーハを製造する方法において、前記研磨する半導体ウエーハとして、両主面に接する面取り部分に酸化膜2等の半導体ウエーハより研磨速度が遅い材質からなる膜が形成され、かつ両主面には前記膜が形成されていないウエーハ1を用い、研磨布12,13に研磨液を供給しながら前記ウエーハの両主面を研磨布に摺接させて両面研磨を行うことを特徴とする鏡面ウエーハの製造方法。前記研磨する半導体ウエーハは、ウエーハ全面に酸化膜等を形成した後、両主面を平面研削、エッチング、またはラッピングすることにより両主面の膜を除去して得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体ウエーハの両主面を研磨することにより鏡面ウエーハを製造する方法において、前記研磨する半導体ウエーハとして、両主面に接する面取り部分に該半導体ウエーハより研磨速度が遅い材質からなる膜が形成され、かつ両主面には前記膜が形成されていないウエーハを用い、研磨布に研磨液を供給しながら前記ウエーハの両主面を研磨布に摺接させて両面研磨を行うことを特徴とする鏡面ウエーハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  B24B 1/00 ,  B24B 37/04

FI (4件)：

H01L 21/304 621 E ,  H01L 21/304 622 P ,  B24B 1/00 Z ,  B24B 37/04 Z

Fターム (9件)：

3C049AA04 ,  3C049AA07 ,  3C049CA01 ,  3C049CB01 ,  3C058AA04 ,  3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17