特許

J-GLOBAL ID：200903080852587988

レジストパターンの形成方法

発明者： 葛 葉 昇
出願人/特許権者： アイバイツ株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 俊一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-150315
公開番号（公開出願番号）：特開平7-140670
出願日： 1993年06月22日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【構成】 ビニルオキシカルボニル基と、該ビニルオキシカルボニル基と反応しうる官能基とを有する化合物と、光照射または電離放射線照射により酸を発生する化合物とからなるパターン形成材料を被処理基板上に塗布した後に乾燥し、次いで、ビニルオキシカルボニル基と、該ビニルオキシカルボニル基と反応しうる官能基とが反応しうる温度に加熱して架橋型レジスト膜を作り、該レジスト膜に光または電離放射線をパターン状に照射した後に、アルカリ性水溶液で現像することを特徴としている。【効果】 本発明によれば、高コントラスト・高感度でポジ型レジストを形成することが可能になる。

請求項（抜粋）：

ビニルオキシカルボニル基と、該ビニルオキシカルボニル基と反応しうる官能基とを有する化合物と、光照射または電離放射線照射により酸を発生する化合物とからなるパターン形成材料を被処理基板上に塗布した後に乾燥し、次いで、ビニルオキシカルボニル基と、該ビニルオキシカルボニル基と反応しうる官能基とが反応しうる温度に加熱して架橋型レジスト膜を作り、該レジスト膜に光または電離放射線をパターン状に照射した後に、アルカリ性水溶液で現像することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/30 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 569 E