特許
J-GLOBAL ID：200903080853960704
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
徳丸 達雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-255131
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073779
出願日： 2004年09月02日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】チッピング防止のために、スクライブラインにレーザを照射し層間絶縁膜の除去を行うと、アライメントマークも除去されてしまう。その結果、後のダイシング時に、ダイシングブレードのアライメントができなくなる。【解決手段】一部のアライメントマークにはレーザを照射しないか、強度もしくはパワーを落として照射する。これにより、当該アライメントマークが残存し、ダイシング時のアライメント用に用いることができる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
スクライブラインと前記スクライブライン上に形成されたアライメントマークとを有する半導体ウエハを用意する工程と、
前記スクライブラインにレーザを照射する工程と、
を有し、
前記レーザを照射する工程において、少なくとも一つのアライメントマークが残存するようにレーザを照射すること、
を特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/78 C
, H01L21/78 F
出願人引用 (3件)
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特開平1-304721号公報
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半導体集積回路ウェハ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-371726
出願人：セイコーエプソン株式会社
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レーザビームを使用した加工機
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-131776
出願人：株式会社ディスコ
審査官引用 (3件)
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