窒化物系化合物半導体基板およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-000072
公開番号（公開出願番号）：特開2001-192300
出願日： 2000年01月04日
公開日（公表日）： 2001年07月17日
要約：

【要約】【課題】残留応力が低く、結晶欠陥が少ない窒化物系化合物半導体基板を提供する。【解決手段】サファイア等の結晶基材101上に、不純物を添加した窒化物系化合物半導体からなる下地層102を300〜800°Cの温度において堆積させる。下地層102上に、上記温度より高い温度において窒化物系化合物半導体の結晶103を成長させる。下地層をエッチングにより除去して、窒化物系化合物半導体の結晶を基板105として分離する。分離した基板105を、窒素を含む雰囲気下で熱処理し、その残留応力を低減させる。

請求項（抜粋）：

六方晶系窒化物結晶からなる半導体基板であって、{0001}結晶面からなる表面、および{000-1}結晶面からなる裏面を有し、周期律表における第2族元素、第4族元素および第6族元素よりなる群から選ばれた1種または2種以上の元素を不純物として含み、前記不純物が1種の元素からなる場合、当該元素の濃度は1014cm-3以上1022cm-3以下であり、前記不純物が2種以上の元素からなる場合、それらを合計した濃度が1014cm-3以上1022cm-3以下であり、前記不純物の濃度は、前記表面側より前記裏面側において高く、かつ内部に残留する応力が0.01Pa以下であることを特徴とする、窒化物系化合物半導体基板。

IPC (4件)：

C30B 29/38 , H01L 21/20 , H01L 21/324 , H01L 33/00

FI (4件)：

C30B 29/38 D , H01L 21/20 , H01L 21/324 X , H01L 33/00 C

Fターム (25件)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077EF03 , 4G077FE02 , 4G077FG05 , 5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA48 , 5F041CA57 , 5F041CA58 , 5F041CA65 , 5F041CA73 , 5F041CA74 , 5F041CB11 , 5F052DA04 , 5F052DB06 , 5F052EA11 , 5F052GC06 , 5F052JA08

引用特許：

出願人引用 (2件)

窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-052573 出願人：日亜化学工業株式会社
GaN単結晶およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-242967 出願人：三菱電線工業株式会社

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