特許
J-GLOBAL ID:200903080854127364
窒化物系化合物半導体基板およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
深見 久郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-000072
公開番号(公開出願番号):特開2001-192300
出願日: 2000年01月04日
公開日(公表日): 2001年07月17日
要約:
【要約】【課題】 残留応力が低く、結晶欠陥が少ない窒化物系化合物半導体基板を提供する。【解決手段】 サファイア等の結晶基材101上に、不純物を添加した窒化物系化合物半導体からなる下地層102を300〜800°Cの温度において堆積させる。下地層102上に、上記温度より高い温度において窒化物系化合物半導体の結晶103を成長させる。下地層をエッチングにより除去して、窒化物系化合物半導体の結晶を基板105として分離する。分離した基板105を、窒素を含む雰囲気下で熱処理し、その残留応力を低減させる。
請求項(抜粋):
六方晶系窒化物結晶からなる半導体基板であって、{0001}結晶面からなる表面、および{000-1}結晶面からなる裏面を有し、周期律表における第2族元素、第4族元素および第6族元素よりなる群から選ばれた1種または2種以上の元素を不純物として含み、前記不純物が1種の元素からなる場合、当該元素の濃度は1014cm-3以上1022cm-3以下であり、前記不純物が2種以上の元素からなる場合、それらを合計した濃度が1014cm-3以上1022cm-3以下であり、前記不純物の濃度は、前記表面側より前記裏面側において高く、かつ内部に残留する応力が0.01Pa以下であることを特徴とする、窒化物系化合物半導体基板。
IPC (4件):
C30B 29/38
, H01L 21/20
, H01L 21/324
, H01L 33/00
FI (4件):
C30B 29/38 D
, H01L 21/20
, H01L 21/324 X
, H01L 33/00 C
Fターム (25件):
4G077AA03
, 4G077AB02
, 4G077BE15
, 4G077DB01
, 4G077EF03
, 4G077FE02
, 4G077FG05
, 5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA23
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA48
, 5F041CA57
, 5F041CA58
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CB11
, 5F052DA04
, 5F052DB06
, 5F052EA11
, 5F052GC06
, 5F052JA08
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