特許
J-GLOBAL ID:200903080854127364

窒化物系化合物半導体基板およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-000072
公開番号(公開出願番号):特開2001-192300
出願日: 2000年01月04日
公開日(公表日): 2001年07月17日
要約:
【要約】【課題】 残留応力が低く、結晶欠陥が少ない窒化物系化合物半導体基板を提供する。【解決手段】 サファイア等の結晶基材101上に、不純物を添加した窒化物系化合物半導体からなる下地層102を300〜800°Cの温度において堆積させる。下地層102上に、上記温度より高い温度において窒化物系化合物半導体の結晶103を成長させる。下地層をエッチングにより除去して、窒化物系化合物半導体の結晶を基板105として分離する。分離した基板105を、窒素を含む雰囲気下で熱処理し、その残留応力を低減させる。
請求項(抜粋):
六方晶系窒化物結晶からなる半導体基板であって、{0001}結晶面からなる表面、および{000-1}結晶面からなる裏面を有し、周期律表における第2族元素、第4族元素および第6族元素よりなる群から選ばれた1種または2種以上の元素を不純物として含み、前記不純物が1種の元素からなる場合、当該元素の濃度は1014cm-3以上1022cm-3以下であり、前記不純物が2種以上の元素からなる場合、それらを合計した濃度が1014cm-3以上1022cm-3以下であり、前記不純物の濃度は、前記表面側より前記裏面側において高く、かつ内部に残留する応力が0.01Pa以下であることを特徴とする、窒化物系化合物半導体基板。
IPC (4件):
C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 ,  H01L 33/00
FI (4件):
C30B 29/38 D ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 X ,  H01L 33/00 C
Fターム (25件):
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EF03 ,  4G077FE02 ,  4G077FG05 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CB11 ,  5F052DA04 ,  5F052DB06 ,  5F052EA11 ,  5F052GC06 ,  5F052JA08

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