特許

J-GLOBAL ID：200903080859942597

電極/イオン交換薄膜接合体の製造方法、及び電極/イオン交換薄膜/電極接合体の製造方法

発明者： 金子 実 ,  齋藤 俊彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 中島 司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-320268
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176317
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】 イオン伝導抵抗及び接触抵抗の低減を図り電池電圧の低下を抑制すると共に、電極の寸法変化が少なく水分の安定供給が可能な電極/イオン交換薄膜接合体の製造方法、及び電極/イオン交換薄膜/電極接合体の製造方法を提供することを目的としている。【構成】 少なくとも電極触媒層から成る電極を作成する第1ステップと、基板上にイオン交換体を滴下してイオン交換体の薄膜を形成する第2ステップと、前記基板上に形成したイオン交換体の薄膜と前記電極とを接合して基板/イオン交換薄膜/電極接合体を作成する第3ステップと、前記基板/イオン交換薄膜/電極接合体から基板を剥離する第4ステップと、を有することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

少なくとも電極触媒層から成る電極を作成する第1ステップと、基板上にイオン交換体を滴下してイオン交換体の薄膜を形成する第2ステップと、前記基板上に形成したイオン交換体の薄膜と前記電極とを接合して基板/イオン交換薄膜/電極接合体を作成する第3ステップと、前記基板/イオン交換薄膜/電極接合体から基板を剥離する第4ステップと、を有することを特徴とする電極/イオン交換薄膜接合体の製造方法。

IPC (3件)：

H01M 8/10 ,  H01M 4/88 ,  H01M 8/02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-101360
  
• 特開平4-264367
  
• 特開平4-329264