特許

J-GLOBAL ID：200903080863294567

高強度窒化アルミニウム回路基板およびその製造方法

発明者： 寧 暁山 ,  一箭 健治 ,  降幡 哲夫 ,  名村 優 ,  木村 正美
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社
代理人 (1件)： 丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-220848
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053624
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 安定かつ十分な接合強度を有する高強度窒化アルミニウム回路基板およびその製造方法の提供。【構成】 分離剤BNの使用法が敷粉、ホーニング時間が3倍、ホーニング圧力が2倍、IBN/IAlNが 0.3×10-2、Ra/Dが 7.6×10-2、O/Yが1.29、および粒界相がYAGからなるAlNセラミック基板1の両主面の所定の位置に、チタン、銀および銅の混合粉末に各種添加物を加えてペースト化したろう材3を印刷法によって印刷し、印刷したペーストの上に銅パーツ2を置き、10-5torr真空中において、 810°Cで20分間加熱して銅パーツとセラミック基板を接合し、回路基板を得る。得られた回路基板のピール強度は53kg/cmである。

請求項（抜粋）：

抗折強度が30kg/mm2 以上、含有酸素重量(Owt)と含有イットリウム重量(Ywt)との比(Owt/Ywt)が0.71以上、表面粗さ(Ra)と平均結晶粒径(D)との比(Ra/D)が11×10-2以下、および表面層に残存する窒化ホウ素のX線回析強度(IBN)と窒化アルミニウムのX線回析強度(IAlN)との比(IBN/IAlN)が 6×10-2以下である窒化アルミニウムを主成分とするセラミック基板の少なくとも一方の主面に、Ti、ZrおよびHfからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素の単体、またはその水素化合物を含むろう材を介して導電回路が形成されてなり、ピール強度が30kg/cm以上であることを特徴とする高強度窒化アルミニウム回路基板。