特許
J-GLOBAL ID:200903080865472225

静電容量式圧力センサ及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 篠部 正治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-057134
公開番号(公開出願番号):特開2000-199727
出願日: 1999年03月04日
公開日(公表日): 2000年07月18日
要約:
【要約】【課題】特性と信頼性とが優れ、良品率が高く、且つ製造工程数が少なく安価な静電容量式圧力センサを提供する。【解決手段】この圧力センサは、リング状溝12に囲まれた可動電極部11を備えたシリコン部品1aと固定電極21を備えた硝子部品2とが静電接合されて構成される。シリコン部品1aには、両電極で構成されるコンデンサ3のギャップを確保するためのギャップ部13と同時に形成された凹部14があり、その凹部14の底面に絶縁性薄膜15が成膜されている。この薄膜15が、ガラス部品2の固定電極用スルーホール22の加工時のバリによる電極間短絡を防止して良品率を向上させ、スルーホール22から侵入する塵埃の大きさを制限して信頼性を高める。絶縁性薄膜15に替えて凹部14にざぐり穴を形成するのも有効であり、両者の併用もできる。
請求項(抜粋):
固定電極付きのガラス部品と、溝によって囲まれ溝部肉薄部の変形で変位する可動電極を有するシリコン部品とが接合されてなり、シリコン部品の溝の外側には溝につながる凹部が形成され、この凹部の中央部の直上に相当するガラス部品の部分にはスルーホールが形成され、このスルーホールを通して固定電極からの配線がガラス部品の外側表面に引き出され、測定対象である圧力が可動電極と固定電極とのギャップの変化を介してその静電容量値の変化分として検知される静電容量式圧力センサにおいて、シリコン部品が単結晶シリコンからなり、ガラス部品が硼硅酸ガラスからなり、シリコン部品の凹部表面には絶縁性薄膜が形成され、シリコン部品とガラス部品とが静電接合によって接合されていることを特徴とする静電容量式圧力センサ。
IPC (2件):
G01L 9/12 ,  H01L 29/84
FI (2件):
G01L 9/12 ,  H01L 29/84 Z
Fターム (19件):
2F055AA39 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF11 ,  2F055FF38 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  2F055GG12 ,  2F055GG15 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA22 ,  4M112CA31 ,  4M112CA36 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA13

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