特許
J-GLOBAL ID:200903080867093809
Ni-Zn系フェライト
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
池条 重信 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-307388
公開番号(公開出願番号):特開2003-112968
出願日: 2001年10月03日
公開日(公表日): 2003年04月18日
要約:
【要約】【課題】 チョークコイルやインダクタンス素子に用いられる磁性材料自体を改良して直流印加(重畳)時のインダクタンス(L値)を向上させること。【解決手段】 Ni-Zn系フェライトにおいて、透磁率が高い磁性材料を用いることで磁気ギャップを設けることなく直流重畳特性の向上が可能であり、当該フェライト組成に特定粒径のZrO2を特定量添加することで目的とする高透磁率が得られ、磁路中に磁気ギャップを設けることなくチョークコイルやインダクタンス素子を構成できる。
請求項(抜粋):
平均粒径0.5μm〜50μmのZrO2を0.1wt%〜25wt%含むNi-Zn系フェライト。
IPC (3件):
C04B 35/30
, H01F 1/34
, H01F 37/00
FI (3件):
C04B 35/30 Z
, H01F 1/34 A
, H01F 37/00 N
Fターム (8件):
4G018AA16
, 4G018AA23
, 4G018AA24
, 4G018AA25
, 4G018AA37
, 5E041AB01
, 5E041CA10
, 5E041NN02
引用特許:
前のページに戻る