特許
J-GLOBAL ID：200903080867133665
光学結晶素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-297181
公開番号（公開出願番号）：特開平8-152658
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【目的】 結晶の方位の確認が容易である光学結晶素子の量産化が可能な光学結晶素子加工方法を提供する。【構成】 結晶分割工程にて分割された各KTP素子11の切断面31、32を光学研磨工程にて光学研磨する。さらに、マーキング工程にてKTP素子11の切断面32に対して略1度の傾きを持つ面、すなわち複屈折量調節面61及び上面部51の側縁部に切り込み41を設ける。この切り込み41は、例えばブレード21を上記結晶分割工程にて用いた位置から矢印aに示す方向に、僅かな距離、例えば200マイクロメートルずらして、このブレード21を垂直に下ろすことで入れられる。なお、このずらす距離を予め決めておけば、この切り込みを入れる作業を自動的に行わせることが可能である。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ光を励起する固体レーザ発振器を構成する光学結晶素子をウェハ状の光学結晶から切り出して製造する光学結晶素子の製造方法において、上記光学結晶素子の製造作業を行うための基板に上記光学結晶を固定する結晶固定工程と、上記基板に固定された上記光学結晶を切断面が位相整合角になるように光学結晶素子に分割する結晶分割工程と、上記結晶分割工程にて分割された上記光学結晶素子の切断面を光学研磨する光学研磨工程と、上記光学研磨工程により光学研磨される面を示す切り込みを上記結晶分割工程にて分割された各光学結晶素子の表面上の所定の箇所に入れるマーキング工程とを有する光学結晶素子の製造方法。
IPC (5件)：
G02F 1/37
, C30B 29/22
, G02F 1/35 505
, H01S 3/109
, H01S 3/18
