特許

J-GLOBAL ID：200903080868069316

強誘電体素子、強誘電体メモリ及びこれらの製造方法

発明者： 原 竜弥
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-083154
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296505
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】強誘電体素子あるいは強誘電体メモリにおいてキャパシタ周囲のエッチングダメージによる特性劣化を防止し、かつキャパシタ周囲の強誘電体に電界が及ぶことによる悪影響を防止する。【解決手段】強誘電体膜12Fの近傍に、前記強誘電体膜12Fと同一組成であって結晶性が異なる膜12を形成する。ここで近傍の膜とは、例えば非晶質膜、非強誘電体膜、強誘電体膜12Fより誘電率の低い強誘電体膜である。かかる近傍の膜を形成するには、強誘電体膜12Fを成膜した後、この強誘電体膜12Fの一部に酸素イオンなどのイオン注入を行う。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

絶縁膜上に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成された強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された第二電極と、を備えた強誘電体素子であって、 前記強誘電体膜の近傍に、前記強誘電体膜と同一組成であって結晶性が異なる膜が形成されている、強誘電体素子。

IPC (3件)：

H01L27/105 ,  C23C14/48 ,  H01L21/316

FI (4件)：

H01L27/10 444B ,  C23C14/48 Z ,  H01L21/316 B ,  H01L27/10 444Z

Fターム (23件)：

4K029BA32 ,  4K029BD01 ,  4K029CA10 ,  4K029HA07 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF02 ,  5F058BF12 ,  5F058BF46 ,  5F058BH15 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083GA27 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083NA08 ,  5F083PR36 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40