半導体基板及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-070396
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283380
出願日： 1994年04月08日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】結晶欠陥が少なく、膜厚分布が良く、不純物濃度が低く、絶縁層の膜厚、材料の設定が自由で、安価に製造できる半導体基板を得る。【構成】外方拡散により不純物を低濃度化した半導体層101aを絶縁体面上に有する半導体基板。表面側に高濃度不純物層を有する半導体基板と絶縁体面を有する基板とを貼り合わせ、前記半導体基板を除去し、残された高濃度不純物層の不純物濃度を外方拡散により低下させる半導体基板の製造方法。高濃度不純物層と絶縁体層とが接して設けられ、表面側に該絶縁体層を有する半導体基板と他の基板面とを貼り合わせ、前記半導体基板を除去し、残された高濃度不純物層の不純物濃度を外方拡散により低下させる半導体基板の製造方法。

請求項（抜粋）：