特許
J-GLOBAL ID：200903080876420340
電子線描画方法およびフォトマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-095196
公開番号（公開出願番号）：特開平9-281688
出願日： 1996年04月17日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 電子線描画におけるゴースト露光においては描画パターンを形成する領域の露光エネルギーQpとその周辺を露光する露光エネルギーQcとを実験によって求めていたため、コストと時間がかかっていた。【解決手段】 S1で、描画パターンの図形的条件、電子の散乱条件α,β、蓄積エネルギー条件η,Eth、Qc/Qpおよび許容誤差範囲εを入力し、S2で、各描画パターンに係わる露光エネルギー分布Edを求め、蓄積エネルギーのしきい値Ethと比較して各描画パターン寸法Ddを求める。S3で、上記Ddと設計パターン寸法Dsとの寸法差eを求め、S4で、パラメータの全てについて繰り返し寸法差eを求める。S5で、上記ε内においてDsが最小となる最小設計パターン寸法Dsmin を求め、S6で、パラメータの全てについて繰り返し上記Dsmin を求めて、S7で、上記Dsmin の分布が最小となるQc/Qpを求める。
請求項（抜粋）：
レジスト膜に電子線を照射してパターンを描画する際に、設計パターン寸法Dsと描画パターン寸法Ddとの寸法差eが許容誤差範囲ε内になるような各描画パターンの形成予定領域に照射する第1露光エネルギーQpと該描画パターンの形成予定領域の周辺に照射する第2露光エネルギーQcとで露光を行う電子線描画方法において、前記寸法差eの許容誤差範囲ε内で最小設計パターン寸法Dsmin が得られる前記第1露光エネルギーQpと前記第2露光エネルギーQcとの比Qc/Qpは、全ての描画パターンの図形的条件、電子線がレジスト膜中に入射したときの電子の散乱条件、後方散乱によるレジスト膜中の蓄積エネルギーと前方散乱によるレジスト膜中の蓄積エネルギーとの蓄積エネルギー比η、レジスト膜の蓄積エネルギーのしきい値Eth、第1露光エネルギーQpと第2露光エネルギーQcとの比Qc/Qpおよび許容誤差範囲εを入力する第1ステップと、前記入力した全てのQc/Qpに対して、前記電子の散乱条件と前記蓄積エネルギー比ηとに基づいて前記各描画パターンに係わる露光エネルギー分布Edを求め、各描画パターン毎の露光エネルギー分布Edと前記レジスト膜の蓄積エネルギーのしきい値Ethとを対照させて、各描画パターン毎にEthとEdとの差が0となる分布を求め、その分布から各描画パターン毎の描画パターン寸法Ddを求める第2ステップと、前記各描画パターン寸法Ddと該描画パターンの設計パターン寸法Dsとの寸法差eを求める第3ステップと、前記入力した全てのQc/Qpと各描画パターンとの組み合わせについて前記寸法差eを求めたか否かを判定し、前記入力した全てのQc/Qpと各描画パターンとの組み合わせについて前記寸法差eを求めていない場合には、未だ求めてていないQc/Qpと描画パターンとの組み合わせの一つについて前記第2ステップを行うことを指示し、全てのQc/Qpと各描画パターンとの組み合わせについて前記寸法差eを求めた場合には、次のステップに進むことを指示する第4ステップと、前記入力した全てのQc/Qpと描画パターンの形態とをパラメータにして、前記寸法差eと設計パターン寸法Dsとの関係を求め、前記許容誤差範囲ε内において設計パターン寸法Dsが最小となる最小設計パターン寸法Dsmin を求める第5ステップと、前記パラメータ毎に全ての寸法差eと設計パターン寸法Dsとの関係について前記最小設計パターン寸法Dsmin を求めたか否かを判定し、前記パラメータ毎に全ての寸法差eと設計パターン寸法Dsとの関係について前記最小設計パターン寸法Dsmin を求めていない場合には、未だ求めていない前記寸法差eと設計パターン寸法Dsとの関係の一つについて前記第5ステップを行うことを指示し、前記パラメータ毎に全ての寸法差eと設計パターン寸法Dsとの関係について前記最小設計パターン寸法Dsmin を求めた場合には、次のステップに進むことを指示する第6ステップと、描画パターンの形態をパラメータにして、前記最小設計パターン寸法Dsminと前記Qc/Qpとの関係を求め、該関係から最小設計パターン寸法Dsmin の分布が最小値をとるQc/Qpを求める第7ステップとにより求めることを特徴とする電子線描画方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/20 504
, H01L 21/027
G03F 1/08 A
, G03F 7/20 504
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 541 M
