特許
J-GLOBAL ID：200903080880124403
密着型イメージセンサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-344933
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176713
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：
【要約】【目的】 透光性導電層のシールド効果を損なうことなしに、静電気が透光性導電層を介して放電することのないようにする。【構成】 透光性基板1上に透光窓3を有する遮光層2を形成し、その上に光電変換素子4を形成する。SiN膜等により光電変換素子4上に透光性保護層5aを形成する。耐摩耗層6となるガラス薄板上にITO膜等からなる透光性導電層7を形成し、これを透光・導電性接着剤5bにより、遮光層2、光電変換素子4の形成された透光性基板1上に接着する。このセンサデバイス部14をフレーム13上に接着し、その前後に原稿ガイド12を取り付ける。遮光層2および原稿ガイド12を接地するが、原稿ガイド12-透光性導電層7間は絶縁する。【効果】 透光性導電層7がインピーダンスを介して接地されることになるため、透光性導電層7を介しての放電は起こりにくくなる。
請求項（抜粋）：
透光性基板上に透光窓を有する遮光膜および光電変換素子が形成され、その上に透光性被覆層、光透過性導電層および耐摩耗層がこの順に積層されている密着型イメージセンサにおいて、前記光透過性導電層は抵抗および/または静電容量を介して接地されていることを特徴とする密着型イメージセンサ。
IPC (2件)：
引用特許：
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