特許

J-GLOBAL ID：200903080880940006

高密度プラズマプロセスチャンバ

発明者： シャモウイル シャモウイリアン ,  アナンダ エイチ. クマール ,  アーノルド コロデンコ ,  デニス エス. グリマード ,  ジョナサン ディー. モーン ,  マイケル ジー. チャフィン ,  ケネス エス. コリンズ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-199184
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097430
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】 高密度、高指向性プラズマを提供するプロセスチャンバを得る。【解決手段】 プラズマ中で半導体基板60を処理するためのプロセスチャンバ55は、チャンバのプラズマゾーンにプロセスガスを分配するためのプロセスガス・ディストリビュータ100を備える。誘導子アンテナ135を使って、プラズマゾーン内でプロセスガスから誘導性プラズマを形成する。チャンバの天井140にある一次バイアス電極145は、プラズマゾーン65に露出した導電面150を持つ。内部に埋め込まれたパワー電極165を備えた誘電体部材155は、基板を受け入れるための受容面を持つ。誘電体部材155下の二次バイアス電極170は、プラズマゾーンに露出した導電面175を持つ。電極電圧源180は、パワー電極、一次バイアス電極、および二次バイアス電極を異なる電位に維持して、チャンバのプラズマゾーンに高密度、高指向性のプラズマを提供する。

請求項（抜粋）：

プラズマ中で半導体基板を処理するためのプロセスチャンバであって、(a)プラズマを形成できるプロセスガスを前記チャンバのプラズマゾーンに分配するためのプロセスガス・ディストリビュータと、(b)前記プラズマゾーンに露出した導電面を有する、前記チャンバの天井にある一次バイアス電極と、(c)前記一次バイアス電極の下に位置決めされると共に基板を受け入れるための受容面を有する、内部に埋め込まれたパワー電極を備えた単体モノリシック誘電体部材と、(d)前記誘電体部材の下の二次バイアス電極と、(e)前記パワー電極、一次バイアス電極、および二次バイアス電極を異なる電位に維持して前記チャンバの前記プラズマゾーンに高指向性プラズマを提供するための電極電圧源とを備えたことを特徴とするプロセスチャンバ。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/265 F