特許

J-GLOBAL ID：200903080891056590

エッチング方法並びに装置及び回折光学素子の製造方法並びに装置

発明者： 田中 一郎
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 日比谷 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-187377
公開番号（公開出願番号）：特開平11-012769
出願日： 1997年06月27日
公開日（公表日）： 1999年01月19日
要約：

【要約】【課題】 途中でエッチングを中止した場合でもエッチング深さの再現性を向上する。【解決手段】 エッチング中は光源部19、受光部20から成るエリプソメータにより、カソード12上の試料のエッチングモニタ部のSiO2 膜厚減少を観察し、膜厚の減少分が100nmになったところで高周波電源14の出力を停止する。

請求項（抜粋）：

光透過性を有する被エッチング物を選択的に任意の深さにエッチングするエッチング方法において、前記被エッチング物とは別に、少なくとも光学的反射層及び前記被エッチング物と同一層を所望のエッチング深さよりも厚く積層したエッチングモニタ部を、前記被エッチング物と同一のエッチング環境に設置し、光学的エッチング深さ検出手段により前記エッチングモニタ部のエッチング深さを検知することによって、エッチングの終点を検出することを特徴とするエッチング方法。

IPC (3件)：

C23F 4/00 ,  G02B 5/18 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

C23F 4/00 F ,  G02B 5/18 ,  H01L 21/302 E