特許

J-GLOBAL ID：200903080891118570

有機EL素子の製造方法および有機EL素子

発明者： 森 匡見
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-244766
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294176
出願日： 1997年08月26日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】 スパッタされた原子により素子構成膜へ物理的ダメージを与えることなく、膜物性の良好な電極を有し、薄膜表面の突起によるリーク電流の恐れもなく、陽電極とした場合にはアモルファス性が良好で、膜物性の良好な電極を有する有機EL素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 成膜ガス圧力と基板ターゲット間距離の積が20〜65Pa・cmであるスパッタ法にて電極を成膜する有機EL素子の製造方法にて有機EL素子を得る。

請求項（抜粋）：

成膜ガス圧力と基板ターゲット間距離の積が20〜65Pa・cmであるスパッタ法にて電極を成膜する有機EL素子の製造方法。

IPC (4件)：

H05B 33/10 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H05B 33/26

FI (4件)：

H05B 33/10 ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/34 R ,  H05B 33/26

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 有機エレクトロルミネッセンス素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-142716   出願人：三洋電機株式会社