特許

J-GLOBAL ID：200903080893395848

パターン形状計測方法およびパターン位置計測方法

発明者： 山下 一博
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-060802
公開番号（公開出願番号）：特開平9-257457
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 段差上に塗布された有機膜の塗布状態を計測でき、また重ね合わせ精度測定パターンが低段差や高段差の場合でも高精度に重ね合わせ精度を測定でき、また電子線によりパターン寸法測定が精度良く行え、さらに電子線を位置合わせマーク上に走査して精度よく位置合わせすることができる。【解決手段】 半導体基板30上に所定のパターンを有するマスクを重ね合わせて露光し積層パターン37を形成し、積層パターン37上を原子間力顕微鏡により往復走査し、原子間力顕微鏡の走査により得られた往復時の段差形状に基づいて積層パターン間の重ね合わせずれ量を測定し、往復時の段差形状に基づいて得られた重ね合わせずれ量を平均化することにより重ね合わせ精度を算出するものである。

請求項（抜粋）：

表面に段差部を形成した半導体基板の表面形状を原子間力顕微鏡により計測する工程と、前記半導体基板の表面に有機膜を塗布した後有機膜厚を測定する工程と、光学顕微鏡により前記半導体基板上のパターン検出を行う工程と、前記有機膜の段差上の表面形状を原子間力顕微鏡により計測する工程と、前記有機膜の表面形状と前記半導体基板の表面形状の差および前記有機膜厚より前記有機膜の塗布状態を求める工程とを含むパターン形状計測方法。

IPC (7件)：

G01B 21/20 ,  G01B 15/00 ,  G01B 21/30 ,  G01N 37/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/66 ,  G03F 7/26 501

FI (7件)：

G01B 21/20 F ,  G01B 15/00 B ,  G01B 21/30 Z ,  G01N 37/00 F ,  H01L 21/66 J ,  G03F 7/26 501 ,  H01L 21/30 564 Z