特許

J-GLOBAL ID：200903080898065722

シリコン酸窒化膜形成方法

発明者： 鈴木 聡 ,  貝塚 孝亘 ,  松山 征嗣 ,  本郷 俊明
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-004128
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208593
出願日： 2001年01月11日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【課題】 シリコン酸化膜をプラズマ窒化した際に膜中の結晶欠陥を低減し、例えば、MOSキャパシタの絶縁膜として用いた場合、酸化膜と同程度のフラットバンド電圧を得ることができるシリコンのプラズマ酸窒化膜形成方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜をプラズマ窒化してシリコン酸窒化膜を形成する際に、窒素およびアルゴンからなるプロセスガスに水素を同伴させる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜をプラズマ窒化してシリコン酸窒化膜を形成するシリコン酸窒化膜形成方法において、プロセスガスに水素を同伴させることを特徴とするシリコン酸窒化膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (11件)：

5F058BA11 ,  5F058BC11 ,  5F058BF72 ,  5F058BF74 ,  5F058BJ02 ,  5F140AA06 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BD09 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08