特許
J-GLOBAL ID：200903080901862540
酸化マグネシウム薄膜の製造方法およびその製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
東島 隆治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-341749
公開番号（公開出願番号）：特開平10-183335
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月14日
要約：
【要約】【課題】 高品質のMgO薄膜を容易に製造することのできる薄膜製造装置を提供する。【解決手段】 マグネシウムまたは酸化マグネシウムのターゲットを用いて、基板上にマグネシウムまたは酸化マグネシウムを減圧プラズマ中でスパッタリングしながら、マグネシウムを含む化合物の蒸気と反応ガスを減圧プラズマ中で分解させることにより、基板上にNaCl型結晶構造の酸化マグネシウムを形成する。
請求項（抜粋）：
減圧雰囲気下で、マグネシウムまたは酸化マグネシウムからなるターゲットを用いて、減圧プラズマ中で基板上に前記マグネシウムまたは酸化マグネシウムをスパッタリングすると同時に、マグネシウムを含む化合物の蒸気および反応ガスを前記基板上に供給し、前記減圧プラズマ中で分解させることにより同基板上に酸化マグネシウムからなる薄膜を形成する酸化マグネシウム薄膜の製造方法。
IPC (5件)：
C23C 14/08
, C23C 14/34
, H01J 9/02
, H01J 9/227
, H01J 11/02
C23C 14/08 J
, C23C 14/34 M
, H01J 9/02 F
, H01J 9/227 E
, H01J 11/02 B
