特許
J-GLOBAL ID：200903080905773215
半導体デバイスの不純物濃度分布の分析方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-296757
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144749
出願日： 1996年11月08日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】 半導体デバイス中の不純物濃度分布を化学エッチング法を用いて分析する方法において、分析領域を精度良く露出させ、かつ、エッチング条件の変動に起因する測定誤差を低減する。【解決手段】 不純物濃度分布が既知の部分を含むダミーウェーハの表面に耐エッチング性膜を形成した後、この耐エッチング性膜を介して分析試料とダミーウェーハを接着剤ではり合わせる。次いで側面を鏡面研磨することにより分析領域の断面を露出させる。この断面をフッ酸・硝酸混液でエッチングし、エッチング量から不純物濃度分布を分析する。
請求項（抜粋）：
不純物濃度分布が既知の領域を有するダミーウェーハを作製する第一の工程と、前記ダミーウェーハの一方の表面に耐エッチング性薄膜を形成する第二の工程と、前記ダミーウェーハの耐エッチング性薄膜が形成された面と分析試料表面とを接着した後、側面を鏡面研磨して前記ダミーウェーハ中の不純物濃度分布が既知の領域および前記分析試料中の分析領域が露出した断面を形成する第三の工程と、半導体のエッチング速度が不純物濃度に応じて変化するエッチング液により、前記断面をエッチングする第四の工程と、前記第四の工程により生じた断面の凹凸を測定することにより、前記ダミーウェーハおよび前記分析試料の前記断面におけるエッチング速度を求める第五の工程と、前記第五の工程により得られた前記ダミーウェーハの不純物濃度とエッチング速度の関係およびあらかじめ求めておいたダミーウェーハの不純物濃度とエッチング速度の関係とから前記分析領域の濃度分布を分析する第六の工程と、を有することを特徴とする半導体デバイスの不純物濃度分布の分析方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 L
, G01N 23/225
