特許

J-GLOBAL ID：200903080907316784

半導体装置

発明者： 大原 務 ,  飯沼 芳夫
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082679
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279535
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【構成】 集積回路装置11の素子形成面上に形成した接続電極パッド上に半田突起電極17を有する集積回路装置11を、配線と接続電極とを有する基板にフェイスダウンによって接続し、集積回路装置11と基板とのすき間を封止樹脂によって封止をする半導体装置であって、前記集積回路装置11の素子形成面の中央から放射状に伸びる直線に沿って形成した接続電極パッド上に半田突起電極17を有することを特徴とする半導体装置。【効果】 封止樹脂は半田突起電極に沿って流れ込むため、半田突起電極を集積回路装置の中央から放射状に伸びる配置とすることで、集積回路装置と基板とのすき間に封止樹脂の未充填部分を生じることがない。また、本発明の半田突起電極配置とすることで、基板の設計ルールや集積回路装置の大きさを変更することなく、半田突起電極の数を格段に増やすことができる。

請求項（抜粋）：

集積回路装置の素子形成面上に形成した接続電極パッド上に半田突起電極を有する集積回路装置を、配線と接続電極とを有する基板にフェイスダウンによって接続し、集積回路装置と基板とのすき間を封止樹脂によって封止をする半導体装置であって、前記集積回路装置の素子形成面のある一点から放射状に伸びるように形成した接続電極パッド上に、半田突起電極を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/321 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/56 E ,  H01L 21/92 602 N ,  H01L 27/04 E