特許
J-GLOBAL ID：200903080911586109
圧接型半導体装置の製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-310210
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167625
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：
【要約】【構成】熱緩衝板上に粒径0.005〜5μm のAu及びAu合金またはAg及びAg合金粉末を30%〜70%含み、残部沸点200°C以下の有機溶剤または有機樹脂からなる接合用ペーストを塗布し、酸素20%以上の酸化性雰囲気中で250〜500°Cの範囲内で熱処理を行い、接合用インサート層を設けた後、接合用インサート層を介して、大気中または真空中で150〜300°Cの範囲内で加圧して半導体素子基板のアノード,カソード電極と熱緩衝板を接合する。【効果】半導体素子基板と熱緩衝板の300°C以下の低温接合が可能になり、接合時に発生する熱応力を少なくでき、接合欠陥の発生がなく基板の反りを低減し、接触抵抗及び熱抵抗を小さくできる。
請求項（抜粋）：
少なくとも一つのPN接合部を有する半導体素子基板と、前記半導体素子基板の両主面に装着された複数の電極と、前記半導体素子基板の両主面に熱緩衝板が配置され、前記半導体素子基板の両主面に装着された複数の電極と熱緩衝板とが接合された構造の圧接型半導体装置の製造法において、前記半導体素子基板の両主面の電極と接合される前記熱緩衝板上にAu及びAu合金またはAg及びAg合金粉末を30%〜70%含み、残部有機溶剤または有機樹脂からなる接合用ペーストを塗布し、酸素20%以上を含む酸化性雰囲気中で250〜500°Cの範囲内で熱処理を行い、前記熱緩衝板上に接合用インサート層を設けた後、前記半導体素子基板の両主面の電極に接合用インサート層を設けた前記熱緩衝板を配置し、酸素20%以上含む酸化性雰囲気中または真空中で150〜300°Cの範囲内に加熱しながら均一圧力を加え、接合用インサート層を介して前記半導体素子基板の両主面の電極と前記熱緩衝板を接合することを特徴とする圧接型半導体装置の製造法。
IPC (3件)：
H01L 21/60
, H01L 21/52
, H01L 21/603
