特許
J-GLOBAL ID：200903080913132148

MOSFETを用いた双方向電流阻止スイッチ、及びそれを用いたスイッチ回路及び電源選択方法

発明者：
リチャード・ケイ・ウィリアムズ

リチャード・ケイ・ウィリアムズ について


出願人/特許権者：
シリコニックス・インコーポレイテッド

シリコニックス・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 大島 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-321658
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037302
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、通常のMOSFETを用いたオン抵抗の小さい、しかしドレイン領域とボディ領域との間の逆並列ダイオードが動作しないような双方向電流阻止スイッチを提供すること、及び充電器を逆方向に接続した状態にも耐えることができるように保護回路を備えた双方向電流阻止スイッチを提供することである。また、このスイッチを用いたスイッチ回路も提供される。【構成】 本発明の双方向電流阻止スイッチは、半導体基板と、この半導体基板に形成され第1端子に接続された第1N領域と、前記半導体基板に形成され第2端子に接続された第2N領域と、前記第1N領域と前記第2N領域の間に位置するチャネル領域を含み、かつグランドに接続されたPボディ領域と、ゲートとを有し、前記第1N領域と前記第2N領域がどちらも前記Pボディ領域に短絡されていない双方向電流阻止MOSFETを備え、例えばバッテリーと充電器との間を接続するのに用いることができる。
請求項（抜粋）：
グランド電位より高いか若しくはそれと等しい第1電位V1を供給する第1電源と、グランド電位より高いか若しくはそれと等しい第2電位V2を供給する第2電源と、MOSFETであって、半導体基板と、前記半導体基板に形成され、第1端子に接続された第1N領域と、前記半導体基板に形成され、第2端子に接続された第2N領域と、前記第1N領域と前記第2N領域の間に位置するチャネル領域を含み、かつグランドに接続されたPボディ領域と、ゲートとを有し、前記第1N領域と前記第2N領域がどちらも前記Pボディ領域に短絡されていない双方向電流阻止MOSFETとを有することを特徴とする双方向電流阻止スイッチ回路。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H03K 17/06 ,  H03K 17/16 ,  H03K 17/687
FI (3件)：
H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 301 J ,  H03K 17/687 G
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開平4-106796
  • 特開昭60-170322
  • 特開平4-075431
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