特許

J-GLOBAL ID：200903080913880047

半導体装置

発明者： 上村 和義 ,  田原 和弘 ,  吉田 貞義 ,  梅本 毅 ,  宮 龍也
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-256672
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050362
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：

【要約】【目的】高周波用半導体チップを実装した半導体装置の構造で10GHzを越える様な高周波数動作においても安定な動作が可能な半導体装置を提供する。【構成】誘電体基板1の表面に第1の導体層2を、裏面に第2の導体層3を、側面に第3の導体層4を形成しかつ誘電体基板1に所定個のスルーホール10を形成し、そのスルーホールに第4の導体層11を形成し、高周波を伝送する第1の導体層は、第3の導体層4と第4の導体層11の両者にて第2の導体層3に電気的に接続されている。第4の導体層11の存在により、ロウ付け部9のスタブ回路が打ち消され、高周波帯域でのインピーダンスの不整合を回避できる。

請求項（抜粋）：

誘電体基板の一主面上に形成された第1の導体層と、前記誘電体基板の他の主面上に形成された第2の導体層と、前記誘電体基板の側面に形成された第3の導体層と、前記誘電体基板を貫通するスルーホールと、前記スルーホール中に形成された第4の導体層と、前記誘電体基板の一主面上に搭載された半導体チップと、前記第1の導体層と前記半導体チップの電極とをつなぐ接続手段と、前記第2の導体層にロウ付けされた外部引き出し用の導体リードとを有し、前記誘電体基板の一主面上で前記第1の導体層に前記第3の導体層と前記第4の導体層が接続され、前記誘電体基板の他の主面上で前記第2の導電層に前記第1の導電層と前記第3の導電層が接続され、前記第2の導体層と前記外部引き出し用の導体リードとが接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/04 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 23/50