特許
J-GLOBAL ID：200903080914969181
成膜方法及び成膜装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-317865
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150111
出願日： 1997年11月19日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の製造工程中における成膜前処理の制御性を確保し、素子特性の安定した半導体装置を得る。【解決手段】 所定の雰囲気中に配置されたウェハの表面に紫外線を照射して前処理(S6)を行い、次にウェハを大気に晒すことなくこの前処理に続けてその表面に成膜処理(S7)を行う。上記前処理は、酸化性ガス雰囲気中における酸化処理、水素ガス雰囲気中における還元処理、酸化性ガス雰囲気中における有機結合基の分解処理であることとする。
請求項（抜粋）：
所定の雰囲気中に配置されたウェハの表面に紫外線を照射して前処理を行い、前記ウェハを大気に晒すことなく前記前処理に続けてその表面に成膜処理を行うこと、を特徴とする成膜方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/316 X
, H01L 21/31 B
