特許
J-GLOBAL ID：200903080916809106
光半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-167545
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013643
出願日： 1992年06月25日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 高速ホトダイオードとNPNトランジスタとを一体化共存する。【構成】 P型基板(23)の上に高比抵抗の第1のエピタキシャル層(24)をノンドープで形成し、その上に高比抵抗の第2のエピタキシャル層(25)をノンドープで形成する。第2のエピタキシャル層(25)の表面にN型不純物を拡散してNPNトランジスタ(22)のコレクタ領域(36)とする。エミッタ拡散で第2のエピタキシャル層(25)表面にN+カソード領域(31)を形成してホトダイオード(21)とする。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板と、前記基板の上に形成した少くとも200Ω・cm以上の高比抵抗を有する一導電型の第1のエピタキシャル層と、前記第1のエピタキシャル層の上に形成した少くとも200Ω・cm以上の高比抵抗を有する一導電型の第2のエピタキシャル層と、前記第2のエピタキシャル層の表面から前記基板に達する一導電型の分離領域と、前記分離領域で分離された複数の島領域と、前記島領域の第1と第2のエピタキシャル層の境界に埋め込んだ逆導電型の埋め込み層と、前記島領域の第2のエピタキシャル層の表面に形成した逆導電型のコレクタ領域と、前記コレクタ領域の表面に形成した一導電型のベース領域と、前記ベース領域の表面に形成した逆導電型のエミッタ領域と、別の島領域の表面に形成した、ホトダイオードの逆導電型のカソード領域とを具備することを特徴とする光半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 31/10
, H01L 21/76
, H01L 27/146
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 A
