特許

J-GLOBAL ID：200903080919038879

集積回路デバイスの製造中に銅配線を形成する方法

発明者： サブハッシュ・ギュプタ ,  カイ・エス・チャーン ,  メイ・シェン・チョウ
出願人/特許権者： チャータード・セミコンダクター・マニュファクチャリング・リミテッド
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-262081
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085438
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 銅配線を形成する方法を提供する。【解決手段】 シングル・ダマシン配線又はデュアル・ダマシン配線を形成するのに利用される。通常のバリア層にアルミニウム・バリア層を追加することにより、銅拡散に対する優れたバリア層を創造する。基板層が提供され、該基板層上に誘電層が堆積される。誘電層をパターン化して配線トレンチを形成する。オプションとして、チタン接続層を堆積することが出来る。アルミニウム・バリア層が配線トレンチの内側表面に堆積される。例えばチタン及び窒化チタンからなる第2バリア層が、アルミニウム・バリア層上に堆積される。銅層が、第2バリア層に堆積され、配線トレンチに充填される。銅層、第2バリア層及びアルミニウム・バリア層が誘電層の頂面に至るまでポリッシングされて、銅配線を画成し、集積回路装置を完了する。

請求項（抜粋）：

集積回路デバイスの製造中に銅配線を形成する方法にして、全ての下側層、デバイス、ジャンクション及びその他の構成要素を囲繞した、基板層を提供し、前記基板層上に誘電層を形成し、前記誘電層をパターンニングして、銅配線が予定される箇所に配線トレンチを形成し、前記誘電層上及び前記配線トレンチの内部表面にアルミニウム・バリア層を形成し、前記アルミニウム・バリア層上に第2バリア層を形成し、銅層を、前記第2バリア層上に形成して、前記配線トレンチに充填し、前記銅層、前記アルミニウム層及び前記第2層を、前記誘電層の頂面に至るまでポリシングして、前記銅配線を画成し、及び前記集積回路デバイスの製造を完成する、方法。

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 M