特許

J-GLOBAL ID：200903080920714098

半導体素子の保護回路ならびにこれを有する半導体装置

発明者： 坂本 光造 ,  吉田 功 ,  森川 正敏 ,  大高 成雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-031579
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244414
出願日： 1993年02月22日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 高速スイッチング用高入力インピーダンスを有する過熱保護または過電流保護内蔵パワーMOSFETを提供すること。【構成】 第1のスイッチング素子M0の入力端子4と駆動回路10の間に第2のスイッチング素子M7を設け、入力端子4に第3のスイッチング素子M5を設け、第1の素子M0の温度または電流検出回路12を設け、温度または電流検出回路12により、第3の素子M5をオン、第2の素子M7をオフまたは高インピーダンスとする。【効果】 第1の素子M0が過熱または過電流の状態になると制御回路11により、第2の素子M7がオフ、第3の素子M5がオンとなり、第1の素子M0の入力端子4が外部端子2から遮断される。この時の保護動作時の第2の素子M7の低電流が第3の素子M5によりバイパスされ、第1の素子M0を高速に遮断できる。

請求項（抜粋）：

第1のスイッチング素子の入力端子とこの駆動回路の間に第2のスイッチング素子または可変抵抗素子を設け、前記第1のスイッチング素子の入力端子に第3のスイッチング素子を設け、さらに、前記第1のスイッチング素子の温度検出手段または電流検出手段を設け、この温度検出手段または電流検出手段により、前記第3のスイッチング素子をオン、前記第2のスイッチング素子をオフまたは前記可変抵抗を高インピーダンスとせしめることを特徴とする半導体素子の保護回路。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 29/78 301 K ,  H01L 27/06 311 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-128475
  
• 定着装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-238980   出願人：キヤノン株式会社