絶縁膜のエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-134507
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304217
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】絶縁膜に開設する逆円錐状をしたスルーホールを均一な開口径で形成することができる絶縁膜のエッチング方法を得る。【構成】半導体基板1に形成した導体層2上に層間絶縁膜3を形成し、この上にシリコン窒化膜でエッチングマスク4を形成し、このエッチングマスク4を用いて絶縁膜3を選択エッチングするに際し、ECRエッチング装置を用いてエッチングの初期ではRF電力を小さくし、エッチングの終期ではRF電力を小さくするエッチングを行う。或いは、エッチングの初期ではマイクロ波電力を大きくし、エッチングの終期ではマイクロ波電力を大きくする。これにより、絶縁膜の膜厚の相違にかかわらず均一な開口径が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成し、かつこの上のエッチングマスクを所要パターンに形成する工程と、このエッチングマスクを用いて前記絶縁膜を選択エッチングする工程とを含み、この選択エッチングに際してはECRエッチング装置を用い、エッチングの初期ではRF電力を小さくし、エッチングの終期ではRF電力を小さくするエッチングを行うことを特徴とする絶縁膜のエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/90 , C04B 41/91 , C23F 4/00 , H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-263638
特開平2-125427
特開平2-210825

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